Method for forming pattern of metal oxide and method for producing semiconductor element

WO2022163182 Art A1 4. August 2022

Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022163182
Aktenzeichen: EP21923186
Anmeldetag: 14. Dezember 2021
Veröffentlichung: 4. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RESONAC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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