Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

WO2022164601 Art A1 4. August 2022

Anmelder: QORVO US, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022164601
Aktenzeichen: EP21851942
Anmeldetag: 29. Dezember 2021
Veröffentlichung: 4. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H03F3/45H03F1/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: QORVO US, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qorvo US

Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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