Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

WO2022164602 Art A1 4. August 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022164602
Aktenzeichen: EP22746375
Anmeldetag: 3. Januar 2022
Veröffentlichung: 4. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/1157H01L27/11548H01L27/11575H01L27/11556H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von