Flip-chip stacking structures and methods for forming the same

WO2022165749 Art A1 11. August 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022165749
Aktenzeichen: EP21923766
Anmeldetag: 5. Februar 2021
Veröffentlichung: 11. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/31H01L21/56H01L21/60H01L23/488

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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