Field-effect transistor and manufacturing method therefor

WO2022165817 Art A1 11. August 2022

Anmelder: SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022165817
Aktenzeichen: EP21923827
Anmeldetag: 7. Februar 2021
Veröffentlichung: 11. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/772H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Goodix Technology

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Shenzhen, spezialisiert auf Fingerabdrucksensoren, Touch-Controller und Sicherheitschips für mobile Endgeräte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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