Metal substrate structure and method of manufacturing a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

WO2022167231 Art A1 11. August 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022167231
Aktenzeichen: EP22703900
Anmeldetag: 21. Januar 2022
Veröffentlichung: 11. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/373H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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