Evaluation Of Background Leakage To Select Write Voltage in Memory Devices

WO2022169650 Art A1 11. August 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022169650
Aktenzeichen: EP22750193
Anmeldetag: 26. Januar 2022
Veröffentlichung: 11. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C11/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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