Method for processing substrate, and method for manufacturing silicon device comprising said processing method
WO2022172907
Art A1
18. August 2022
Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022172907
- Aktenzeichen
- EP22752730
- Anmeldetag
- 8. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 18. August 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/308
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKUYAMA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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