Method of preparing passivating contacts and method of producing photovoltaic device with n-type polycrystalline silicon passivating contact
WO2022174421
Art A1
25. August 2022
Anmelder: SOOCHOW UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022174421
- Aktenzeichen
- EP21926139
- Anmeldetag
- 20. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 25. August 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/18H01L31/068H01L31/0224
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOOCHOW UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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