Methods of forming an electronic device comprising deuterium-containing dielectric materials and related electronic devices and systems

WO2022177763 Art A1 25. August 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022177763
Aktenzeichen: EP22756706
Anmeldetag: 4. Februar 2022
Veröffentlichung: 25. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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