Power semiconductor device and manufacturing method

WO2022179770 Art A1 1. September 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022179770
Aktenzeichen: EP22701220
Anmeldetag: 19. Januar 2022
Veröffentlichung: 1. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/36H01L23/31H01L23/433

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

1.042 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von