Tunneling device manufacturing method which forms intermediate layer by using native oxide film

WO2022181889 Art A1 1. September 2022

Anmelder: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022181889
Aktenzeichen: EP21928184
Anmeldetag: 7. Juni 2021
Veröffentlichung: 1. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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