2-transistor vertical memory cell and shield structures

WO2022182838 Art A1 1. September 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022182838
Aktenzeichen: EP22760387
Anmeldetag: 24. Februar 2022
Veröffentlichung: 1. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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