Semiconductor structure measuring method, and device

WO2022183639 Art A1 9. September 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022183639
Aktenzeichen: EP21928717
Anmeldetag: 25. Juni 2021
Veröffentlichung: 9. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G01B11/24H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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