Silicon carbide epitaxial growth device and method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate
WO2022185453
Art A1
9. September 2022
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022185453
- Aktenzeichen
- EP21929029
- Anmeldetag
- 3. März 2021
- Veröffentlichung
- 9. September 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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