Method for detecting state of surface of raw material melt, method for producing monocrystal, and cz monocrystal production device
WO2022185789
Art A1
9. September 2022
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022185789
- Aktenzeichen
- EP22762848
- Anmeldetag
- 26. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 9. September 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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