Protective ring structure, and semiconductor structure and manufacturing method therefor

WO2022188320 Art A1 15. September 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022188320
Aktenzeichen: EP21929790
Anmeldetag: 8. Juli 2021
Veröffentlichung: 15. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00H01L21/304H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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