Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing same, and power conversion device

WO2022190269 Art A1 15. September 2022

Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022190269
Aktenzeichen
EP21930125
Anmeldetag
10. März 2021
Veröffentlichung
15. September 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/78H01L29/12H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

37.727 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen