Silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide substrate

WO2022190469 Art A1 15. September 2022

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022190469
Aktenzeichen: EP21930315
Anmeldetag: 24. November 2021
Veröffentlichung: 15. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B33/08H01L21/20H01L21/304H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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