Method for forming ferroelectric thin film and semiconductor device provided with same

WO2022190817 Art A1 15. September 2022

Anmelder: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022190817
Aktenzeichen: EP22766780
Anmeldetag: 18. Februar 2022
Veröffentlichung: 15. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L27/1159H01L29/04H01L21/336H01L29/78H01L21/329H01L29/88

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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