Memory management procedures for write boost mode

WO2022193129 Art A1 22. September 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022193129
Aktenzeichen: EP21930725
Anmeldetag: 16. März 2021
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G06F3/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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