Techniques To Mitigate Memory die Misalignment

WO2022193218 Art A1 22. September 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022193218
Aktenzeichen
EP21930810
Anmeldetag
18. März 2021
Veröffentlichung
22. September 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G06F12/02G11C16/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen