Photomask assembly, patterned mask and formation method therefor, and formation method for active area

WO2022193489 Art A1 22. September 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022193489
Aktenzeichen: EP21931071
Anmeldetag: 8. Juli 2021
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F1/68G03F1/42G03F1/72H01L27/108G03F9/00G03F7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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