Verification failbit quantization circuit, memory, memory system, and method

WO2022194108 Art A1 22. September 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022194108
Aktenzeichen: EP22770463
Anmeldetag: 14. März 2022
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/04G11C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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