Gate Drive Circuit
WO2022196033
Art A1
22. September 2022
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022196033
- Aktenzeichen
- EP21931775
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 22. September 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03K17/16H03K17/687H02M1/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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