Method for manufacturing semiconductor device

WO2022196132 Art A1 22. September 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022196132
Aktenzeichen: EP22770894
Anmeldetag: 28. Januar 2022
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: B24B1/00B24B7/04B24B49/12H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von