Thin film transistor and method for producing thin film transistor

WO2022196431 Art A1 22. September 2022

Anmelder: AGC INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022196431
Aktenzeichen: EP22771183
Anmeldetag: 8. März 2022
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08H01L21/306H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: AGC INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 AGC (Asahi Glass)

Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.

7.332 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von