Method for manufacturing semiconductor substrate and resist underlayer film forming composition

WO2022196485 Art A1 22. September 2022

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022196485
Aktenzeichen: EP22771236
Anmeldetag: 9. März 2022
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/20G03F7/26G03F7/30G03F7/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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