Etching of indium gallium zinc oxide

WO2022197728 Art A1 22. September 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022197728
Aktenzeichen: EP22772079
Anmeldetag: 15. März 2022
Veröffentlichung: 22. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/02H01L21/67H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von