Memory device and erase operation thereof
WO2022198476
Art A1
29. September 2022
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022198476
- Aktenzeichen
- EP21932104
- Anmeldetag
- 24. März 2021
- Veröffentlichung
- 29. September 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.