Layered polycrystalline lead selenide photoelectric thin film and preparation method therefor

WO2022198540 Art A1 29. September 2022

Anmelder: JIANGSU UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022198540
Aktenzeichen: EP21932168
Anmeldetag: 25. März 2021
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/032H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JIANGSU UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Jiangsu University

Die Jiangsu University ist eine chinesische staatliche Universität mit breitem technisch-naturwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Mess- und Prüftechnik, Landwirtschafts- und Nahrungsmitteltechnik sowie Metallurgie und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2007 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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