Memory device with failed main bank repair using redundant bank
WO2022198827
Art A1
29. September 2022
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022198827
- Aktenzeichen
- EP21932443
- Anmeldetag
- 30. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 29. September 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C29/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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