Semiconductor structure and manufacturing method therefor

WO2022198886 Art A1 29. September 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022198886
Aktenzeichen: EP21932498
Anmeldetag: 12. August 2021
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/033G03F1/36G03F1/38G03F1/68H01L21/8239H01L27/105H01L21/311G03F1/72

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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