Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same

WO2022200060 Art A1 29. September 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022200060
Aktenzeichen: EP22713640
Anmeldetag: 10. März 2022
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/51H01L29/40H01L21/331H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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