Method for forming silicon oxynitride film and method for manufacturing thin film transistor

WO2022202100 Art A1 29. September 2022

Anmelder: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022202100
Aktenzeichen: EP22774898
Anmeldetag: 25. Februar 2022
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/318H01L21/336H01L29/786C23C16/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

274 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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