Method for producing semiconductor substrate for memory elements

WO2022202646 Art A1 29. September 2022

Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022202646
Aktenzeichen: EP22775434
Anmeldetag: 18. März 2022
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308C23F1/26C23F1/38H01L21/3213H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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