Selective etching and deposition of memory layers to provide capacitor-to-active silicon electrical coupling

WO2022203909 Art A1 29. September 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022203909
Aktenzeichen: EP22776333
Anmeldetag: 16. März 2022
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/32H01L21/67C23C16/505H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von