Supporting Multiple Active Regions in Memory Devices

WO2022204061 Art A1 29. September 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022204061
Aktenzeichen
EP22776413
Anmeldetag
21. März 2022
Veröffentlichung
29. September 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G06F3/06G06F12/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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