Supporting Multiple Active Regions in Memory Devices
WO2022204061
Art A1
29. September 2022
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022204061
- Aktenzeichen
- EP22776413
- Anmeldetag
- 21. März 2022
- Veröffentlichung
- 29. September 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F3/06G06F12/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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