In-Line Programming Adjustment Of A Memory Cell in A Memory Sub-System

WO2022204607 Art A1 29. September 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022204607
Aktenzeichen: EP22776796
Anmeldetag: 28. März 2022
Veröffentlichung: 29. September 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/30G11C16/08G11C16/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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