Ladder annealing process for increasing polysilicon grain size in semiconductor device

WO2022204844 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022204844
Aktenzeichen: EP21933531
Anmeldetag: 29. März 2021
Veröffentlichung: 6. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157H01L21/324H01L21/02H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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