Memory device and multi-pass program operation thereof

WO2022204938 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022204938
Aktenzeichen
EP21933622
Anmeldetag
30. März 2021
Veröffentlichung
6. Oktober 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G11C16/10G11C16/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen