Memory circuit, control method for memory precharging, and device
WO2022205681
Art A1
6. Oktober 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022205681
- Aktenzeichen
- EP21934325
- Anmeldetag
- 16. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/4096
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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