Electrostatic Protection Circuit

WO2022205743 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022205743
Aktenzeichen: EP21934387
Anmeldetag: 17. August 2021
Veröffentlichung: 6. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H02H9/04H02H9/02H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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