Method for producing semiconductor substrate and composition for forming resist underlayer film
WO2022209816
Art A1
6. Oktober 2022
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022209816
- Aktenzeichen
- EP22780037
- Anmeldetag
- 14. März 2022
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11G03F7/20G03F7/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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