Resist composition for high-energy ray, method for producing resist composition for high-energy ray, resist pattern forming method, and method for producing semiconductor device
WO2022209950
Art A1
6. Oktober 2022
Anmelder: NIPPON SHOKUBAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022209950
- Aktenzeichen
- EP22780170
- Anmeldetag
- 17. März 2022
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nippon Shokubai
Japanisches Chemieunternehmen, das unter anderem Acrylsäure, Superabsorber und Katalysatoren für die Industrie produziert.
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