Memory device including control gates having tungsten

WO2022212035 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022212035
Aktenzeichen: EP22781853
Anmeldetag: 15. März 2022
Veröffentlichung: 6. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11568H01L27/11573H01L27/11575H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von