In-Situ Film Annealing in Substrate Processing

WO2022212202 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022212202
Aktenzeichen: EP22781929
Anmeldetag: 25. März 2022
Veröffentlichung: 6. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/505C23C16/52C23C16/56H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von