Photoconductive Semiconductor Switch Laterally Fabricated Alongside Gan On Si Field-Effect Transistors

WO2022212485 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022212485
Aktenzeichen: EP22722589
Anmeldetag: 30. März 2022
Veröffentlichung: 6. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0304H01L27/144H01L31/09

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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