Dynamic Random Access Memory Speed Bin Compatibility

WO2022213058 Art A1 6. Oktober 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022213058
Aktenzeichen: EP22782398
Anmeldetag: 28. März 2022
Veröffentlichung: 6. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/4076G11C11/408G11C7/22G11C8/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von