Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

WO2022214338 Art A1 13. Oktober 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022214338
Aktenzeichen: EP22717826
Anmeldetag: 25. März 2022
Veröffentlichung: 13. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/45H01L21/336H01L29/78H01L29/06H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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